igbt怎么测量好坏指针万用表

IGBT，全称Insulated Gate Bipolar Transistor，是功率半导体器件中的一种。它具有MOSFET的输入电容小和驱动电流低的优点，同时又具有晶体管（BJT）的导通电阻低和控制电路简单的优点，因此广泛应用于功率电子设备中。但在使用过程中，由于IGBT的寿命有限，可能会出现损坏的情况。本文将介绍如何使用指针万用表进行IGBT的好坏测量。

我们需要了解IGBT的结构及其工作原理。IGBT由PNP-N-MOSFET三极管构成，它具有一个PNP型的异质结，以及一个MOSFET晶体管的栅极。当IGBT正向偏置时，PNP型异质结处于导通状态，而MOSFET晶体管的栅极则通过电压控制导通。IGBT负向偏置时，PNP型异质结处于截止状态，而MOSFET晶体管也处于截止状态。IGBT在工作时，需要正向电压和驱动信号，从而实现从导通到截止的切换。

要进行IGBT的好坏测量，可以使用万用表进行电阻测量。需要将IGBT从电路中取出，并将两个控制信号接口（Gate和Emitter）分别连接到万用表的正负极上。此时，万用表应设为电阻档位，测量IGBT的正向电阻。正常的IGBT正向电阻应该在几十欧姆至几千欧姆之间。

我们需要测量IGBT的反向电阻。此时，将万用表的两个接口分别连接到IGBT的Collector和Emitter上。同样，万用表应设为电阻档位，测量IGBT的反向电阻。正常的IGBT反向电阻应该为无穷大。

若IGBT的正向电阻或反向电阻超出了正常范围，则说明IGBT有可能损坏。有时候，IGBT还会出现短路的情况。此时，可以将万用表的两个接口同时连接到IGBT的Collector和Emitter上，此时正常的IGBT电阻应该为无穷大，如果表现出接近于0欧的异常电阻，则说明IGBT可能损坏了。

如果需要进一步确认IGBT是否真正损坏，可以使用测试电路对其进行更加精确和全面的测试。测试电路的预制方法与测量正向和反向电阻的方法类似，但需要高功率电源和适当的电路配合。通过更精确的测试，可以更好地判断IGBT的故障原因并采取相应的措施。

IGBT是一种基本的功率半导体器件，通过使用万用表可以快速检测IGBT的正向电阻、反向电阻和导通情况，确定其是否损坏。当IGBT被确认损坏时，应及时更换，以确保电路稳定运行。